韩国半导体的迅猛崛起：三星、现代、LG 怎样十年追上 DRAM 前沿，又怎样被债务拖进危机

前置阅读：SK 海力士与 HBM 革命：从濒临破产的 DRAM 厂到 AI 存储的关键供应商

本文基于 Asianometry 的视频《The Fast and Furious Rise of Korean Semiconductors》整理（2023-08-02 发布，33 分 48 秒），赞助段已跳过。年代、技术路线、交易条款和贸易裁决按 SK 海力士官方公告、IMF、WTO、美国商务部的文件以及学术研究核对过。文中截图均来自该视频，图注末尾标出对应画面在视频中的时间区间。

1982 年，韩国只有一家财阀自己生产半导体。1983 年，三星宣布进入 DRAM，当时它的技术落后前沿约五年。三年后，差距缩到一年；到 1995–1996 年，韩国厂商合计拿下全球约 30% 的存储器市场。

接着就是反转。五十多条新产线在两年内同时投产，DRAM 价格崩了；1997 年亚洲金融危机切断了续贷；政府把 LG 的半导体业务硬塞给现代，合并出来的公司背着约 100 亿美元债务，三年内亏掉近 50 亿美元，被债权人接管，差点卖给美光。这家公司后来叫海力士。

这个故事里有两条反馈链：一条是”引进技术 → 提高良率 → 新一代产品赚钱 → 继续投资”的良性循环，另一条是”借债扩产 → 价格下跌 → 投资不足 → 竞争力下降 → 更难融资”的恶性循环。三星一直在第一条链上，现代和 LG 在两条链之间来回，最后掉进了第二条。

The Fast and Furious Rise of Korean Semiconductors

视频封面。

全文的阶段划分：

阶段	核心内容	视频区间
起步与产品选择	从电子装配到自主晶圆制造，为什么选 DRAM	02:11–06:47
技术与制造	技术引进、人才、设备与执行	06:47–10:55
竞争与领先	三家企业不同的技术选择与结果	10:55–21:18
危机与重组	产能过剩、债务、Big Deal 与海力士	21:18–32:43
总结	政府与企业在不同阶段的作用	32:43–33:48

一、起步：从装配基地到晶圆制造

装配和制造是两种能力

韩国的半导体活动可以追溯到 1960 年代，但那时是外国公司利用韩国的廉价劳动力做组装。美国的 Komy 最早进入，随后是仙童（Fairchild）、摩托罗拉（Motorola）和 Signetics。这些韩国工厂都是外国母公司的全资子公司，技术不外流。

能组织工人装配器件，和能在晶圆上造出芯片，是两回事。前者让一个地区进入国际分工，后者要求企业自己掌握生产知识。韩国后来的产业政策和企业投资，就是要把生产组织、技术学习和产品决策一步步拿到本土企业手里。

三星的入口：买一家已经会做晶圆的公司

转折发生在 1974 年。三星收购了韩国半导体（Korea Semiconductor，又称 Han-Kook Semiconductor）50% 的股份，几年后买下剩余股份。这是一家成立约五年、经营困难的集成电路企业，也是韩国第一家用晶圆工艺制造芯片的公司。

推动这笔收购的是李健熙，三星创始人李秉喆的儿子。三星没有直接去做最先进的计算机芯片，而是先用韩国半导体现有的技术，为自家的电子手表和电视供应芯片，让半导体生产有实际的出货对象。

政策转向与财阀响应

1979 年朴正熙遇刺，全斗焕很快掌权。他需要建立经济上的信誉，韩国也想摆脱对廉价劳动力的依赖。1980 年的一项工作组研究选出了三个方向：半导体、计算机和电信。

1982 年，韩国科技部门宣布了一项全国研发计划，未来五年总投入约 5 亿美元，半导体分到其中最大的一份。

财阀马上跟进。1983 年 2 月，李秉喆从东京给一位报纸编辑打电话，宣布三星将进入半导体业务，请报纸公布。这个决定背后是三星超过 1 亿美元的自有资金，后来被称为”东京宣言”。

一个月后，现代集团的郑周永做了类似的宣布，现代半导体随即成立。金星半导体（Goldstar，后来的 LG 体系）虽然更早成立，也在这时加大了投入。

政府定方向，几家既有电子业务又能动员大量资金的财阀把方向变成投资。但做什么产品、从哪拿技术、怎么建厂、能不能扛住亏损，这些还得企业自己解决。

二、为什么选 DRAM

一个足够大的市场

三星比较了几条产品线，最后选了存储器，具体是 DRAM（Dynamic Random Access Memory）。计算机用 DRAM 做主存；和常用于芯片内部高速缓存的 SRAM 相比，DRAM 容量大、速度慢。

当时 DRAM 是用量最大、市场最大的半导体产品之一。对一个要砸钱建厂的后来者来说，足够大的需求是首要条件。

重复的结构

第二个吸引力来自芯片结构。存储器就是大量相同的存储单元重复排列，竞争的重点集中在制造上：谁能在同样的面积里塞进更多单元、良率更高、成本更低。

DRAM 电容阵列显微图

图 1：DRAM 电容的显微图像，重复单元排列成规则阵列，底部有 200 nm 比例尺。（视频 05:33–05:41）

最常见的 DRAM 单元是 1T1C 结构：一个访问晶体管加一个存储电容。电容里有没有电荷代表一位 0 或 1；字线选中某一行时晶体管导通，电容通过位线被读出或写入。电荷会慢慢泄漏，所以 DRAM 必须定期刷新，这就是”动态”的含义 [2]。

            字线（选行）
               │
位线 ───── [访问晶体管] ─────┬──     ┌─┬─┬─┬─┬─┬─┐
                            ═══     ├─┼─┼─┼─┼─┼─┤   大量单元重复排列成阵列
                            ═══     ├─┼─┼─┼─┼─┼─┤   外加读写控制的外围电路
                             │      └─┴─┴─┴─┴─┴─┘
                       存储电容（1 bit）

单元越小，电容越难保住足够的电荷，工艺越难稳定，缺陷越难控制。这就是后面沟槽电容和堆叠电容之争的由来。

四倍增长的代际竞赛

存储器按单颗芯片能存多少位（bit）分代：存 1024 位叫 1K，后面的 64K DRAM 也是按位算。

当时的趋势是容量大约每两到三年翻四倍：1K → 4K → 16K → 64K → 256K → 1M → 4M。每一代都要求在有限面积里塞进四倍的单元。进入某一代，只说明你学会了这一代；下一代很快就来，工厂和工艺必须跟着升级。选了 DRAM，就是选了一场永远停不下来的制造竞赛。

大市场也能带来大亏损

DRAM 是高度商品化的产品。买家主要是计算机厂商，可以随意换供应商；他们既要新一代产品，又要最低价格。厂商只要在代际切换中落后一步，就会亏钱。

当时很多人，尤其是日本业界，不看好韩国进入半导体：国内市场小，没有大规模集成电路（LSI）经验，资本也不够。三星的判断是：它在电视、收音机上积累了管理经验，而且作为韩国最有钱的财阀之一，拿得出钱。

三星有管理大型电子企业的经验和投入意愿，缺的是先进芯片的设计、工艺和人才。

三、技术引进：把外部资源变成自己的能力

日本渠道：大门关着，但有缝

最直接的追赶办法，是向已经掌握技术的企业和工程师学。1960 年代后期，日本企业曾帮三星等财阀进入电子产品市场；但在半导体上，大部分日本公司把三星视为潜在竞争对手，拒绝转让技术。

企业层面的合作被堵住了，人员流动没有。三星大量聘请日本的退休工程师和顾问，这成了日本半导体经验流入韩国的重要渠道。

还有一个企业层面的例外：三星和夏普（Sharp）达成了存储器工艺的技术转让协议，关键推动者是佐佐木正（Tadashi “Rocket” Sasaki）。夏普当时没有参加日本通产省组织的 VLSI 联合研究项目，不在那个圈子里；即便如此，佐佐木仍因为打破日本对韩技术封锁而受到批评。

佐佐木正本人是个传奇人物：在台湾长大，参与推动了 Intel 4004 微处理器的早期构想，主导了夏普的液晶显示研究，帮助过孙正义创业，活到 102 岁。

美国渠道：研发中心、人才、许可和培训

日本这条路基本走不通，三家韩国厂商把重心放到了美国。三星、现代、金星都在美国设立研发中心，大力招募在美国受过训练的韩裔工程师。招人的办法有两个：打民族牌，以及开高薪。视频说有个别半导体工程师的工资超过了李会长本人的三倍。

三家公司在美国方向合计投入约 10 亿美元，用于获取技术、培训人员和联络合作伙伴。

三星最终从爱达荷州博伊西的一家小公司拿到了 64K DRAM 设计的技术许可，这家公司就是 Micron（美光），当时是一家经营困难的初创企业。三星派了八名工程师去爱达荷接受培训；现代和金星也用了类似的办法。

1982–1986 年，韩国公司一共签了 53 项技术转让协议，其中 48 项涉及半导体生产；53 项中有 36 项的转让方是美国，接近 70%，日本以 13 项排第二。

技术转让协议统计

图 2：1982–1986 年技术转让的三个计数：53 项总协议、48 项涉及半导体生产、36 项来自美国伙伴。前两项是按用途分类，国家来源是另一个维度。（视频 08:58–09:18）

设备：几乎全部进口

三星的设备几乎全部依赖进口，主要来自美国的应用材料（Applied Materials）和日本的佳能、尼康。当时韩国是美国盟友，美国的半导体政策主要针对日本，韩国在公开市场上买设备几乎没有障碍。

这种依赖持续了很久。进入 1990 年代，韩国半导体设备的进口比例仍在 90% 左右。

设备进口比例

图 3：1990–1996 年韩国半导体设备进口比例，各年分别为 89%、92%、89%、92%、89%、92%、87%。（视频 09:43–09:52）

三星和现代没把”没有自己的设备产业”只当作弱点。它们的看法是：能从各国挑最好的设备，本身也是优势。

执行力：把买来的东西组织成工厂

买到设备只是起点。韩国企业把外部技术、相对美日的人力成本优势和极强的执行力结合在一起。视频用汉堡店做比喻：买好的设备，用干净的原料，照着配方做，盯着质量，根据结果不断改进。

落到每天的生产上就是：让原料和工艺符合要求，让设备稳定运行，检查产品质量，把发现的问题反馈回产线。韩国企业在这些事情上比不少竞争对手做得更好，这才把买来的技术变成了竞争力。

四、早期试错：技术许可怎样变成能卖的芯片

三星的第一颗 DRAM：用速度换时间

1983 年，三星借助美光的技术做出了第一颗 64Kb DRAM [3]。韩国和美国两支团队互相竞赛，24 小时轮班，三星把这叫作”危机模式”。工厂只用六个月就建好了，约为当时美日同类工厂建设周期的三分之一。少半年建设期，就少半年只投钱、没收入的日子。

但做出芯片不代表追上了。三星的产品仍落后技术前沿约五年。

这个差距在 1985 年的半导体低迷中暴露无遗：64Kb 已经是老产品，三星卖不动。LG 和现代看到三星的困境，放慢了投资；大宇电子在这一轮下行中掉队，从此再没缓过来。三星继续投，1984 年底已经在美光帮助下完成了 256Kb DRAM。

三星半导体的投入一度达到该业务收入的三倍。这些钱来自集团其他业务的现金流。多元化财阀在这里起了双重作用：能扛住多年的追赶期，但也可能把资源分散到别的业务上。三星、现代、LG 的差异，很大程度上就在于半导体能得到多少持续、集中的支持。

三星 64K DRAM

图 4：三星 64Kb DRAM 的展示，画面里有带芯片阵列的晶圆和封装器件，展台上标着 64K DRAM。（视频 11:27–11:39）

追赶需要两种时间上的能力：缩短开发和建厂的时间，决定能不能赶上产品窗口；扛住研发还没变成收入的那段时间，决定能不能活到窗口到来。

现代：想避开强敌，结果选了更难的起点

现代的半导体计划始于 1983 年，比三星晚。它最初选了 SRAM，想避开日本大厂在 DRAM 上的正面竞争。但 SRAM 对设计和制造的要求更高：1984 年 12 月做出的 16Kb SRAM 因为设计问题良率很差。1985 年转向 DRAM 时，三星已经在做下一代了。

现代随后从美国初创公司 Vitelic 引进了 64Kb 和 256Kb DRAM 设计，但自有品牌的产品良率还是上不去。拿到设计只是一份图纸，设计要和工艺适配，工艺要在产线上反复调；大量芯片过不了测试，名义产能就变不成收入。（Vitelic 后来演变成台湾的茂矽电子 Mosel Vitelic。）

现代早期靠给德州仪器（TI）、通用仪器（General Instrument）等公司做第二供应源和代工活下来。1986 年的行业低迷促使 TI 分散制造，现代接到了订单。客户带来的不只是收入，还有在明确的规格、质量和交期要求下改进制造的机会。现代半导体头两年没有收入，到 1987 年支出仍远超收入。

金星／LG：谨慎的组合，更小的市场

金星更谨慎。1982 年它从 AMD 和 AT&T 获得动态存储器技术，授权条件是约 180 万美元加芯片销售额的 6.5%。1984 年又和 LSI Logic 合作做门阵列 ASIC，但良率问题让这条路没走通。

于是金星主要做 TTL、ROM、4 位微处理器和其他非存储器的专用产品。这些产品能撑起一门生意，但市场小，形成不了三星押注 DRAM 那样的扩张规模。LG 一直是韩国厂商里的第三名。

三个案例放在一起：三星扛着亏损连续推进新一代产品；现代先选错了起点，再靠代工积累经验；LG 产品线分散，难以集中资源追大容量 DRAM。避开竞争最激烈的市场，技术任务不一定更简单；拿到产品设计，也离高效量产还远。

五、市场窗口：机会为什么先落到三星头上

两个外部变化

1980 年代中后期，韩国厂商碰上了两个有利变化：

1985 年《广场协议》：日元大幅升值，韩国和台湾的产品在价格上更有竞争力。
1986 年《美日半导体协议》：目标是防止日本倾销、开放日本市场。执行中对日本芯片出口价格的约束，削弱了日本厂商的价格竞争力 [4][5]。这本来是帮美国厂商的，却给韩国厂商腾出了市场空间。

三星正好把产品追赶接上了这个窗口。1986 年推出 1Mb DRAM，和日本的技术差距从约五年缩到约一年；1988 年又完成了 4Mb。到 1987–1988 年计算机市场回暖时，三星手里有接近前沿的产品，生产的存储器全部卖光，赚了大钱。

同样的外部环境，还停留在老一代产品上的企业就拿不到这份收益。汇率和贸易环境改善了销售条件，但能卖什么，取决于研发和制造。

三星销售与利润

图 5：三星 1981–1988 年的销售额与利润，1988 年两者都明显增长。数据包含消费电子业务。（视频 15:46–16:00）

4Mb 国家项目

之前三星、现代、LG 基本各干各的。1986 年，韩国政府仿照日本 1970 年代的 VLSI 项目，组织了一个联合研发项目，目标是 1989 年前完成 4Mb DRAM。参与企业拿补贴，围绕沟槽电容等存储单元结构共享研究成果。

三家企业起初很怀疑：它们预计美日厂商 1988 年就会做出 4Mb，担心政府项目的节奏赶不上市场。但最后都参加了。

DRAM 要在有限面积里存更多位，同时让电容保住足够的电荷。到 4Mb 这一代，平面电容已经不够用了，有两条立体化路线：

沟槽电容（trench）：在硅衬底上往下挖槽，利用槽壁增加电容面积；
堆叠电容（stacked）：在硅表面上方构造立体结构，往上长。

4Mb 沟槽电容剖面

图 6：4Mb 国家项目中的沟槽电容剖面，储存电极与介质沿硅衬底内的沟槽布置，上方标出互连、字线和位线。（视频 16:15–16:32）

合作的收益和边界

联合研发带来了组织学习：三星可能更快做出 4Mb，现代和 LG 则有机会近距离观察三星怎么组织研发。视频用 2008 年北京奥运会美国男篮”梦八队”作比：队友们在同一支队伍里观察科比的训练方式，学到了平时学不到的工作习惯。

之后政府又组织了 16Mb/64Mb 项目，企业继续参加。但随着存储器业务越来越赚钱，它们更愿意独立开发下一代产品，对补贴的依赖越来越低。到 2017 年，三星整体的研发投入大约相当于韩国政府全部研发投入的一半。

六、全球领先：三家企业的不同路径

现代的 4Mb 转折：让生产结果决定技术路线

现代在 1980 年代中期曾经观望三星的结果，推迟了和 AMD 的 256Kb DRAM 技术转让协议；1Mb 产品也因此上市晚了，错过了三星大赚的那段时间。累积亏损让 4Mb 成了生死关。

现代 1989 年 9 月完成 4Mb 开发，但到 1990 年还达不到量产的成熟度，1991 年 4 月才开始量产 [6]。

转折的关键人物是从 Intel 挖来的闵渭植（Min Wi-sik）博士，负责管理和 4Mb 开发。他做了两件事：

引入更成熟的研发流程，压缩开发周期、提高良率；
在沟槽和堆叠两条路线之间拿不定主意时，让两支团队并行开发，用实际制造结果来比较。

1991 年初，现代最终选了堆叠方案，原因是工艺步骤更少、更简单，良率更高 [7]。

重组之后，现代的开发周期从约三年缩到约一年。4Mb 在 1991 年 4 月全面量产，只比三星晚六个月（指量产时间）。富士通甚至买了现代的技术许可 [7]。从引进外部设计到向外输出技术，现代内部已经形成了能自己比较方案、解决问题、推进量产的研发组织。

     沟槽电容：往硅里挖                    堆叠电容：往硅表面上方长
                                              ┌──┐  ┌──┐
  ──────┐      ┌──────                  ──────┘  └──┘  └──────
        │      │      ← 利用槽壁                          ← 利用立体表面
        │      │        增加有效面积                        保住电容面积
        └──────┘
          硅                                     硅

堆叠路线后来成为 DRAM 的主流，沟槽路线的代表 IBM、东芝、西门子（后来的英飞凌、奇梦达）陆续退出 DRAM。现代这次用生产数据选路线的做法，事后看选对了。

LG 与日立：把技术、工厂和订单打包

1989 年，LG 的芯片销售额约 5200 万美元，三星约 6 亿美元，LG 的产品至少落后三星和现代两年。LG 想进大容量存储器市场，而日立需要更多成熟代际的产能来对抗东芝和 NEC。两家此前在录像机业务上有过合作。

1989 年双方签了技术转让协议：LG 在韩国清州复制一座日立的生产体系，生产 1Mb DRAM 和 256Kb SRAM；日立包销其中一部分，LG 可以自己卖剩下的，并向日立支付 6.5% 的授权费 [8]。到 1997 年，这个项目累计花费约 25 亿美元。

日立—金星技术协议

图 7：”Hitachi-Goldstar deal”报纸短讯：日立向金星提供 1Mb DRAM 生产技术支持。（视频 19:18–19:32）

这个安排一次解决了技术来源、制造能力和客户需求三件事。现代靠内部重组缩短周期，LG 走的是完整的合作引进路线。两条路的终点一样：建立一个能稳定交付合格产品的生产系统。

1990 年代：代际追赶变成成本优势

1991 年日本资产泡沫破裂，经济进入长期低迷，一些日本存储器厂商陆续退出 DRAM，韩国厂商继续扩张。三星 1990 年推出 16Mb DRAM，接着研发 64Mb、256Mb，研发网络当时包括 26 个研究机构。

与此同时，Windows 和更复杂的图形界面推动 PC 厂商升级内存，先后带动了 1Mb、4Mb 的需求，韩国厂商是主要受益者。三星把利润继续投进研发和产线，规模越大越能支撑下一代投资，逐渐形成了对手跟不上的投入能力。

1993 年，三星把 16Mb DRAM 的生产升级到 200 mm 晶圆。晶圆面积是 150 mm 的约 1.78 倍，每片能切出更多芯片，摊薄每颗芯片的工序成本。同期三星的市场份额约 13%，并开始扩展逻辑、ROM 和 LCD 业务。

200mm 晶圆

图 8：200 mm 硅晶圆示例，表面可见重复的器件图案。（视频 20:46–21:03）

到 1995–1996 年，韩国厂商合计占全球存储器市场约 30%。

回头看三星的领先，每个阶段靠的东西不同：最初是拿到技术、做出产品；然后是缩短代际差距；进入 1990 年代，是利润再投资、研发组织和制造规模共同形成的成本优势。

七、产能过剩撞上金融危机

需求在涨，为什么市场已经过剩

成功本身带来了新问题：每家企业都把扩产当作巩固地位的办法，加在一起的新增供给超过了市场能吸收的速度。

1991–1995 年，韩国存储器销售额从约 18 亿美元涨到 150 亿美元，翻了 8.3 倍。仅 1995–1996 年就有五十多条新产线投产。LG 扩大产能，1995 年一进集团（Iljin）、1997 年东部集团（Dongbu）这些新玩家也开始进入半导体制造。

韩国存储器销售额

图 9：1991–1995 年韩国存储器销售额从约 18 亿美元增长到约 150 亿美元。（视频 21:22–21:32）

PC 普及的长期趋势还在推动需求，但某个时点上的供给已经过剩了，两件事同时成立。建厂和装设备需要时间，企业根据此前的高价和销量做投资决策；等新产能集中投产，竞争对手的新产能也一起出来了。DRAM 高度标准化，很容易打价格战，行业增长没有变成每家企业的利润增长。

制度环境也变了。金泳三 1993 年上台后推动经济自由化，政府原来用来协调产业投资的工具被削弱。各财阀沿着各自的扩张路线狂奔，政府已经没办法在产能形成之前把它们协调起来。

债务把价格下跌变成金融危机

扩产要巨额资金，韩国财阀长期靠借钱。1997 年前后，韩国财阀的债务权益比超过 5:1。现代集团的报告口径是 341%，按资产市值估算则高达 1378%。

现代集团债务权益比

图 10：现代集团的债务权益比，报告口径 341%，按资产市值估算 1378%。（视频 22:41–22:56）

景气上行时，债务让企业快速扩产；价格下跌时，债务变成刚性负担：收入随 DRAM 价格波动，利息和到期本金照付。只要银行愿意续贷，企业还能争取时间；一旦银行自己失去融资来源，经营困难马上变成需要立即还钱的流动性危机。

1997 年亚洲金融危机从泰国蔓延到印尼，再通过金融机构之间的风险敞口传到韩国：韩国银行借了很多钱给印尼银行，香港加息又给韩元施压。韩元大幅贬值，贷款方收紧信用，韩国银行没法滚动短期债务。撑了几周之后，韩国接受了国际救助。

国际救助方案的总规模约 580 亿美元，其中 IMF 自己批准的备用信贷约 210 亿美元，其余来自世界银行、亚洲开发银行和双边支持 [9][10]。

同一次冲击，三星和现代结局不同

三星电子也被重创：净利润从 1995 年的 28 亿美元跌到 1997 年的 8700 万美元。但它还有电视、冰箱等消费电子业务撑着。存储器价格下跌压低了半导体利润，同时也降低了自家终端产品的芯片成本；消费产品销售额增长 31%，达到 150 亿美元。管理层得以砍掉表现差的部门，收缩之后继续前进。

现代集团也有汽车和造船业务，但这些业务本身也产能过剩，拿不出钱救现代电子。现代电子 1997 年亏损 1.46 亿美元，1998 年再亏 1.12 亿美元，债务继续增加。LG 和现代在存储器市场上都是追赶者，没有三星的领先地位，出口消费电子业务也提供不了同等的缓冲。

集团规模大，不等于危机时有钱可用。兄弟公司能救急的前提是它们自己赚钱、能融资；如果多个业务同时扩产、同时借债，风险是同向的，所谓的”内部支援”就失效了。

八、Big Deal：政府强推的合并

政府为什么重新介入

1997 年 12 月，韩国在接受救助的同时选出了金大中。新总统和大财阀的关系没有前任那么近，政策目标转向提高透明度、整顿高负债结构、恢复竞争力，同时满足国际救助方案的要求。

金大中就职前就召集了五大财阀负责人，1998 年推出一系列业务交换和重组安排，统称 “Big Deal”：让各集团减少重叠业务，把资源集中到少数有竞争力的领域。半导体领域最重要的一项，就是把 LG 的半导体业务交给现代电子，合并成一家更大的存储器厂商。

阻力

汽车业务的交换同样卡住了：政府想让现代接手亏损的三星汽车，现代不想接，三星也不愿认输。

LG 把半导体视为集团的核心资产，不愿交出控制权；它还担心失去和日立的技术合作关系，以及关厂会让数千名员工失业。

各方公开表态支持，实际一拖再拖。政府最后对 LG 施加了金融压力：金大中对 LG 会长具本茂表示这笔交易不能失败，并以国有银行收回贷款相威胁。银行融资在这里成了政府推动产业重组的工具。

LG 抵制合并的报道

图 11：1998 年 12 月 24 日关于 LG 抵制半导体合并的报道。（视频 26:34–26:43）

1999 年合并，2001 年更名

1999 年 4 月 20 日双方签署备忘录，5 月 20 日签署正式协议：现代电子以 2.56 万亿韩元收购 LG 半导体 59% 的股份 [11]，10 月完成整合 [12]。2001 年 3 月，现代电子更名为 Hynix Semiconductor，随后脱离现代集团，专注半导体 [13]。

合并很快招来批评：现代是不是付多了？是不是接下了技术老化的资产？国际救助的要求对这笔交易有多大影响？

新公司背着约 100 亿美元债务，又撞上 2000 年互联网泡沫破裂后的 DRAM 低谷。接下来两三年极其艰难，存储器价格下跌约 80%。

投资能力的恶性循环

亏损会压缩资本开支，而存储器制造必须持续升级。2002 年，三星的资本开支预算是海力士的八倍。海力士越缺钱，越没法更新设备、改进产品；竞争力下降又进一步压缩利润。给一家芯片公司追加短期流动资金，未必能让它恢复长期竞争力。

海力士 2000 年亏损约 19 亿美元，2001 年约 30 亿美元。这个规模大到能改变整个韩国企业群体的利润表现：视频说，剔除海力士，相关韩国企业 2001 年的利润平均增长约 25%；算上它，增长率变成约 −3.3%。

海力士 2001 年亏损报道

图 12：2002 年 3 月 7 日的报道：海力士 2001 年亏损约 30 亿美元。（视频 28:40–28:44）

九、海力士的生存博弈

金融重组

海力士首先要争取时间。韩国国有银行的支持是这一阶段最重要的融资来源。

2001 年 5 月的重组方案包括 1 万亿韩元可转债、约 12.5 亿美元全球存托股份（GDS）和债务展期；6 月实际落实了 9941 亿韩元可转债和 59 亿韩元单独贷款 [14]。6 月 15 日公布的约 12.5 亿美元 GDS 融资对应普通股权益 [15]。
2001 年 10 月，又一轮约 42 亿美元的援助，手段包括债转股、暂停利息支付和贷款减记。

这些手段各自缓解不同的压力：债转股减少要还的债，暂停付息缓解眼前的现金需求，减记降低债权人最终能收回的金额。救助的本质是重新安排损失由谁承担，而不是往公司账上打一笔钱。债转股之后，债权人变成股东，承担股东风险，也拿到了控制公司的权力。

美光和英飞凌等海外竞争对手强烈反对，认为政府在帮海力士续命、扭曲了公平竞争，随后在美国、欧洲分别提起反补贴申诉。同一笔重组，在债权人眼里是减少损失的选择，在竞争者眼里就是政府补贴。

裁员和卖资产

除了金融重组，海力士还必须砍成本：

员工从 22000 人裁到 10000 人，约三分之一的高管被撤换；
美国俄勒冈州尤金工厂停产，员工经历了五个月无薪休假；
出售土地，退出和存储器核心业务关联不大的部门。

卖掉的资产包括：手机业务 Curitel、通信系统 Hyundai Networks、客服业务 Hyundai Digitech、显示器厂商 Imagequest 的 47% 股权、汽车电子 Hyundai Autonet。海力士不再维持原来那个大电子集团的业务边界，而是把能卖的都换成现金，保住核心的半导体能力。

其中一笔交易影响深远：海力士把 HYDIS 的 TFT-LCD 业务卖给了中国的京东方 [16]。这笔钱帮海力士还了债，也让京东方拿到了显示产业的资产和技术基础，是京东方日后成长为全球最大面板厂的重要起点。

美光交易：谈成了又被否决

海力士还试图把存储器业务卖给美光，估值约 28 亿美元，主要用股票支付。2002 年 4 月 22 日公布的非约束性备忘录：美光以约 1.086 亿股普通股换取海力士存储器业务，另投 2 亿美元取得剩余非存储器业务 15% 的股权，韩国贷款机构向美光的韩国业务提供 15 亿美元长期融资 [17]。

海力士—美光备忘录

图 13：海力士与美光 2002 年 4 月 22 日公布的非约束性备忘录。（视频 30:47–30:59）

债权人支持这笔交易，员工则以抗议和罢工威胁反对，韩国舆论也担心技术被贱卖给外国公司。

董事会最终否决了交易。4 月 30 日的声明给出的理由是：交易后剩余公司的负债过重，方案高估了美光股票的价值和未来现金流，剩下的公司可能活不下去；同时，行业回暖和技术改进提高了独立生存的可能 [18]。当时 128 Mb DRAM 的价格已经从 2001 年 11 月的约 1 美元低点回升到 2002 年 2 月的约 4 美元。

否决是有代价的：美光退出谈判，海力士 CEO 抗议辞职；一百多家债权人随后把债权转为股权、接管了公司，撤换了董事会。公司没有被外国买家收购，但也不再由原管理层控制，而是转由债权人主导。（这段的更多细节见 SK 海力士那篇的第一章。）

复苏

2002 年底又有一轮约 49 亿美元的重组，通过展期和减免继续减压。海力士 2002–2003 年合计又亏了约 40 亿美元，直到 2004 年才取得可观利润：全年营业利润超过 2 万亿韩元。

2004 年转盈的原因是 DRAM 行情回暖、产量和良率提高、成本下降、高附加值产品增加，以及重组完成 [19]，和后来的智能手机热潮没有关系，那是 2007 年以后的事。

海力士 2004 年财报

图 14：2005 年 3 月发布的海力士 2004 年财报，全年营业利润超过 2 万亿韩元，并强调高附加值存储器产品。（视频 32:21–32:31）

2012 年，海力士加入 SK 集团，更名为 SK hynix。从现代和 LG 的两块困难业务，到债权人控制下的重组企业，再到 SK 旗下的存储器厂商，这家公司的产业能力、融资和控制权被反复重新组合。后面的故事是 HBM。

十、总结

政府的作用要分阶段看

韩国半导体的追赶里，政府和企业承担的任务不同：

起步阶段：全斗焕政府把半导体定为重点方向，之后通过 4Mb 项目等机制给予支持。
追赶阶段：1983 年以后，日常决策越来越由财阀主导。选产品、找技术伙伴、招人、建厂、推进下一代研发，风险都由企业承担。
危机阶段：政府要救金融系统、推动财阀重组、处理工厂和就业，还要应对海外竞争者对补贴的指控。

此前帮助财阀集中资本、快速扩张的组织方式，同时也积累了债务、产能和治理问题。

补贴争议：WTO 怎么判的

欧盟 2003 年对海力士 DRAM 征收反补贴税，韩国随后向 WTO 提起 DS299 争端。专家组驳回了韩国关于补贴和损害的大部分申诉，同时认定欧共体在部分补贴认定、利益计算和损害因果分析上不符合规则。报告于 2005 年 8 月 3 日通过 [20]。

反补贴的认定要逐项判断：政府有没有指示或委托银行提供资金，企业有没有因此获得利益，这种利益是否具有特定性，进口产品到底造成了多少损害。市场本身的下行、产能过剩和其他进口也会伤害本地企业，这些要和补贴的影响分开 [21]。

两条反馈链

良性循环（三星）                          恶性循环（现代电子 → 海力士）
┌─────────────────────────────┐          ┌─────────────────────────────┐
│ 引进设计、工艺、设备与人才     │          │ 借债扩产，承担固定支出与偿债压力 │
└──────────────┬──────────────┘          └──────────────┬──────────────┘
               ▼                                        ▼
┌─────────────────────────────┐          ┌─────────────────────────────┐
│ 提高良率、缩短周期、降低成本   │          │ 价格下跌、续贷受阻，现金流收缩  │◀─┐
└──────────────┬──────────────┘          └──────────────┬──────────────┘  │
               ▼                                        ▼                 │
┌─────────────────────────────┐          ┌─────────────────────────────┐  │
│ 及时推出新一代产品，形成现金流 │          │ 投资不足，产品与成本竞争力受损  │  │
└──────────────┬──────────────┘          └──────────────┬──────────────┘  │
               ▼                                        ▼                 │
┌─────────────────────────────┐          ┌─────────────────────────────┐  │
│ 继续投资制造与自主研发        │──┐       │ 亏损扩大，融资更加困难         │──┘
└─────────────────────────────┘  │       └─────────────────────────────┘
               ▲                 │
               └─────────────────┘

三条可以带走的结论

拿到技术和吸收技术是两件事。 授权、买设备、招人提供的是入口；量产良率、研发节奏、工艺改进，才检验企业是否把知识变成了能力。现代拿到 Vitelic 的设计照样良率上不去，换了研发组织之后才追上来。
需求增长和厂商赚钱是两件事。 PC 市场的长期增长没能阻止 1996 年的 DRAM 价格崩盘。要同时看新增供给、单位成本、产能投放时点和财务杠杆。
活下来和重新有竞争力是两件事。 债务重组延长了时间窗口，窗口里的技术和经营改进，决定救助能不能转化成持续的盈利能力。海力士用了 2001–2004 年活下来，又用了 2012–2022 年等到 HBM。